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《国民经济行业分类》（GB/T 4754—2017）| 41个工业大类 |
分类共分为门类、大类、中类和小类四个层次，共包含门类20个（分别是：农、林、牧、渔业，采矿业，制造业，电力、热力、燃气及水的生产和供应业、建筑业，批发和零售业，交通运输、仓储和邮政业，住宿和餐饮业，信息传输、软件和信息技术服务业，金融业，房地产业，租赁和商务服务业，科学研究和技术服务业，水利、环境和公共设施管理业，居民服务、修理和其他服务业，教育，卫生和社会工作，文化、体育和娱乐业，公共管理、社会保障和社会组织，国际组织），大类97个，中类473个和小类1380个

半导体全产业链国产替代名单(2025-04-27)

 

中国在5-14nm先进制程的布局正通过 “设备突破-工艺创新-生态协同” 三轨并进策略加速推进，核心进展与挑战如下（数据更新至2025年上半年）：

一、技术突破：国产设备替代率跃升

1. 刻蚀与薄膜设备（国产化率超40%）

企业 设备类型 技术节点 突破进展
中微公司 CCP刻蚀机 5nm 进入中芯国际14nm/中芯南方N+1（等效7nm）产线，市占率35%（国内逻辑芯片线）
北方华创 ICP刻蚀/ALD 5nm GAA 5nm GAA晶体管工艺验证通过，2025年H1刻蚀+薄膜设备收入115亿元（同比+58%）
拓荆科技 SACVD/PEALD 14nm以下 14nm SACVD设备100%替代应用材料，用于长江存储128层3D NAND量产
新凯来 高精度ALD 5nm 阿里山ALD设备精度0.1nm，适配GAA晶体管，核心零部件100%国产

2. 光刻技术：多路径突破EUV封锁

技术路线 代表企业 进展与局限
DUV+SAQP 新凯来 浸没式光刻机通过四重成像（SAQP）实现等效5nm，良率92%，成本仅为ASML 60%
纳米压印 杭州璞璘科技 线宽**<10nm**，长江存储测试中，吞吐量仅为EUV 1/3（量产瓶颈）
SSMB-EUV 清华大学/雄安 稳态微聚束光源实验阶段，2030年前难商业化

关键进展：

二、制造工艺：N+1/N+2等效节点量产

1. 中芯国际先进制程路线

工艺节点 技术方案 量产进展 主要客户
N+1 DUV+SAQP 等效7nm，2024年Q2良率85% 华为麒麟710A/展锐T770
N+2 FinFET优化+先进封装 等效5-6nm，2025年Q1风险量产 华为昇腾910B AI芯片
14nm FinFET 标准工艺 产能5万片/月，利用率超95% 兆易创新MCU/韦尔CIS

2. 存储芯片协同突破

企业 技术方向 进展
长江存储 Xtacking 3.0 128层3D NAND采用 国产14nm制程设备，晶圆成本降低30%
长鑫存储 1β nm DRAM 19nm DDR4量产基础上，2025年试产 17nm DDR5（SAQP工艺）

三、生态协同：国产替代闭环形成

1. 设备-材料-制造联动

环节 协同案例
设备验证 中微刻蚀机+新凯来ALD+上海微电子DUV光刻机 成套导入 中芯南方N+2产线
材料配套 江丰电子5nm靶材、安集科技抛光液、南大光电ArF光刻胶 通过中芯国际14nm认证
设计支持 华为海思/寒武纪设计适配 N+1工艺设计套件（PDK），缩短流片周期至6个月

2. 政策与资本赋能

四、核心挑战：短期难跨越的鸿沟

  1. EUV光刻真空期：

    • 国产EUV光源（科益虹源）、双工件台（华卓精科）仍处实验室阶段，5年内难量产；
    • 纳米压印/SSMB路线 吞吐量/良率不足，仅适合存储芯片（长江存储测试中）。

  2. 材料纯度瓶颈：

    • 5nm制程需 >99.9999999%（9N） 电子特气，本土企业（华特气体）仅达 8N；
    • EUV光刻胶（彤程新材）分辨率未突破 20nm。

  3. 全球专利壁垒：

    • GAA晶体管架构、FinFET优化技术被台积电/三星 专利封锁，N+2工艺需绕道设计。

五、未来路径：非对称超车战略

  1. 聚焦“等效节点”：
    • 通过 SAQP+先进封装（如华为芯片N+1+CoWoS）实现 系统级5nm性能。
  2. 设备分层替代：
    • 刻蚀/薄膜设备 2027年国产化率超60% → 光刻环节主攻 DUV+纳米压印。
  3. 开辟第三赛道：
    • Chiplet技术：长电科技/通富微电2.5D封装降低单芯片制程需求；
    • 新型架构：华为达芬智芯存算一体芯片用 14nm工艺实现7nm算力。

数据前瞻：

结论：从“可用”到“好用”的关键五年

中国半导体在5-14nm领域已突破 “工艺可行性”（N+1量产），下一步需攻克 “经济性”与“自主性”：

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